单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
HEXFET®NexFET™TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）20A（Ta），60A（Tc）22A（Ta）48A（Tc）60A（Ta）120A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 25A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 30A，10V5.4 毫欧 @ 18A，8V9.7 毫欧 @ 15A，4.5V11.9 毫欧 @ 11A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.35V @ 25µA2.4V @ 200µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V110 nC @ 10 V160 nC @ 10 V450 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
468 pF @ 15 V760 pF @ 15 V1440 pF @ 15 V2040 pF @ 20 V5640 pF @ 10 V6490 pF @ 50 V23600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）2.5W（Ta）2.8W（Ta）69W（Tc）157W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
6-SON（2x2）8-SO8-SOP Advance（5x5）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
8,716
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.50431
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
11.9 毫欧 @ 11A，10V
2.35V @ 25µA
9.3 nC @ 4.5 V
±20V
760 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8,854
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00452
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 15A，4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
37,828
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.84928
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Ta）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 30A，10V
2.1V @ 1mA
160 nC @ 10 V
+10V，-20V
5640 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
6-WDFN Exposed Pad
CSD17571Q2
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Texas Instruments
18,679
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11291
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
2V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
468 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-SON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
CSD1632x Series 8-SON
CSD17309Q3
MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Texas Instruments
6,383
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），60A（Tc）
3V，8V
5.4 毫欧 @ 18A，8V
1.7V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1440 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
1,282
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
800 : ¥13.38725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
23600 pF @ 25 V
-
157W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
1,929
现货
1 : ¥23.56000
带
带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6490 pF @ 50 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。