单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）7.3A（Ta）13A（Ta）42A（Tc）56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13A，10V16 毫欧 @ 34A，10V18 毫欧 @ 33A，10V22 毫欧 @ 4.4A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.25V @ 25µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V51 nC @ 10 V100 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V1210 pF @ 15 V1530 pF @ 25 V2430 pF @ 25 V2930 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）2.5W（Ta）110W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOMicro3™/SOT-23TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
127,535
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
7,046
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.84055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 13A，10V
2.25V @ 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IRFR3710ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
11,612
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.90010
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 33A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
2930 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF7495TRPBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Infineon Technologies
16,045
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.08764
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.3A（Ta）
10V
22 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Infineon Technologies
3,776
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.28347
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
56A（Tc）
10V
16 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2430 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。