单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧 @ 15A,10V8.9 毫欧 @ 10A,4.5V19 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250µA2.2V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.7 nC @ 4.5 V31 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1790 pF @ 10 V2420 pF @ 75 V5250 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.8W(Ta),69W(Tc)4.8W(Ta),57W(Tc)125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
8-VSONP(3x3.3)PG-TDSON-8-1PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8S
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
32,568
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.52036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,698
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.98840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
76A(Tc)
1.8V,4.5V
8.9 毫欧 @ 10A,4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
12,777
现货
1 : ¥23.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.28462
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
19 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。