单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）500mA（Ta）6.5A（Ta）， 63A（Tc）23A（Tc）25A（Tc）28A40A（Tc）50A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.2 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 10.5A，10V27 毫欧 @ 40A，10V32 毫欧 @ 54A， 10V52 毫欧 @ 15A，10V63 毫欧 @ 25A，10V117 毫欧 @ 14A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 5.55mA2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V40 nC @ 10 V60 nC @ 5 V90 nC @ 10 V110 nC @ 10 V137 nC @ 10 V219 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V21 pF @ 5 V1450 pF @ 25 V2100 pF @ 50 V3600 pF @ 25 V5350 pF @ 25 V8000 pF @ 25 V10850 pF @ 40 V11000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）690mW（Ta）1.35W（Ta），50W（Tc）3.1W（Ta），110W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）50W（Tc）96W（Tj）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKDPAKLPTSPG-TO263-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AATO-263（D2PAK）UMT3F
封装/外壳
SC-85TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
270,748
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51311
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
2,479
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
800 : ¥8.76171
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MBRD6100CT-TP
MCU28P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
4,463
现货
1 : ¥16.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.49920
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A
4.5V，10V
52 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
96W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,498
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.82615
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.5A，10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,008
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UMT3F
RU1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Rohm Semiconductor
21,132
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37357
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,349
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.04648
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
949
现货
1 : ¥37.68000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.49927
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta）， 63A（Tc）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 54A， 10V
2V @ 5.55mA
219 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LPTS
RSJ400N10TL
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Rohm Semiconductor
13
现货
1 : ¥30.29000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.16191
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4V，10V
27 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
1.35W（Ta），50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。