单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Tc）14.5A（Ta），47A（Tc）28A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 60A，6V9.7mOhm @ 14.5A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 200µA3V @ 250µA4V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V40 nC @ 10 V53 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1550 pF @ 25 V1880 pF @ 30 V3420 pF @ 40 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）3.13W（Ta），158W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPPowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,442
现货
1 : ¥20.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.42879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
HSOP8
RS1L145GNTB
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Rohm Semiconductor
594
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.46586
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14.5A（Ta），47A（Tc）
4.5V，10V
9.7mOhm @ 14.5A，10V
2.7V @ 200µA
37 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-263
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
onsemi
1,201
现货
61,600
工厂
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.53084
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.4A（Tc）
10V
2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
HSOP8
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
1,298
现货
1 : ¥23.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.46542
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
4.9 毫欧 @ 60A，6V
4V @ 1mA
53 nC @ 10 V
±20V
3420 pF @ 40 V
-
104W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。