单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ C7SuperMESH5™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
230 毫欧 @ 2.4A，10V2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 240µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.5 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
175 pF @ 100 V996 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
38W（Tc）67W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-VSON-4PowerFlat™（5x6）
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL4N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
6,000
现货
1 : ¥14.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.60150
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2.5A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PG-VSON-4
IPL65R230C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Infineon Technologies
5,979
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.21299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
10A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
67W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。