单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）5.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 4.5A，10V100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
375 pF @ 6 V1000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SQ3427AEEV-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
7,867
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.33946
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.3A（Tc）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 30 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
20,129
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。