单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）4.3A（Tc）130A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 81A，10V250 毫欧 @ 1.5A，10V800 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V241 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V975 pF @ 25 V10720 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.38W（Ta）35W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23TO-220-3TO-247AC
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Infineon Technologies
11,884
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
130A（Tc）
10V
9.7 毫欧 @ 81A，10V
5V @ 250µA
241 nC @ 10 V
±30V
10720 pF @ 50 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
20,894
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
10V
250 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
975 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB Full Pack
IRFI9630GPBF
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Vishay Siliconix
2,025
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
4.3A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。