单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）3.8A（Ta）5.47A（Ta）17A（Ta）18.5A（Ta）31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 17A，10V8 毫欧 @ 10A，10V29 毫欧 @ 6A，10V65 毫欧 @ 16A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V59.2 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V64.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V434.7 pF @ 10 V563 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V2826 pF @ 15 V6234 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）740mW（Ta）1.08W（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Ta）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,182
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-252-2
DMP3010LK3Q-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Diodes Incorporated
6,705
现货
137,500
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.99376
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
59.2 nC @ 4.5 V
±20V
6234 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR5305TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
25,518
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.02280
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
DMG3420U-7
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Diodes Incorporated
204,613
现货
2,190,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40266
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.47A（Ta）
1.8V，10V
29 毫欧 @ 6A，10V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
434.7 pF @ 10 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252 D-Pak Top
DMP3007LK3-13
MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Diodes Incorporated
5,379
现货
42,500
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.73209
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18.5A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 17A，10V
2.8V @ 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。