单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），18A（Tc）163A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 50A，10V26 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V80.6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
945 pF @ 20 V5400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），24W（Tc）117W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）DPAK
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 POWER WDFN
FDMC8015L
MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
onsemi
765
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.47589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
945 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
DPAK
NVD5C434NT4G
MOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
onsemi
2,171
现货
1 : ¥27.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.59317
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
163A（Tc）
10V
2.1 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
80.6 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
117W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。