单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）1.8A（Ta）3.3A（Tc）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.2 毫欧 @ 7A，10V100 毫欧 @ 3.3A，10V230 毫欧 @ 1.8A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 218µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V315 pF @ 50 V329 pF @ 25 V2580 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）1.8W（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）2.2W（Ta）
供应商器件封装
6-TSOPPG-SOT223-4SOT-223-4SOT-523
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6SOT-523TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
327,133
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42139
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-223-4
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
onsemi
18,216
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.12378
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.3A（Tc）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 3.3A，10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
Pkg 5540
SI3421DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,872
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
19.2 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-223-4
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Infineon Technologies
11,056
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.03941
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
230 毫欧 @ 1.8A，10V
1.8V @ 218µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
329 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。