单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™ 6PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）1.8A（Ta）3.2A（Ta）4.1A（Ta）13A（Ta）23A（Tc）25A（Ta）， 230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.24 毫欧 @ 50A， 10V52 毫欧 @ 10A，10V67 毫欧 @ 2.9A，4.5V67 毫欧 @ 4.1A，10V111 毫欧 @ 2.9A，10V155 毫欧 @ 1A，10V200 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 147µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V18.1 nC @ 10 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 25 V760 pF @ 75 V850 pF @ 10 V942 pF @ 30 V1024 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V6880 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）900mW（Ta）1.2W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）3W（Ta）， 254W（Tc）20W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICDPAKPG-TSON-8-3SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
117,816
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70796
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-TSOP
NTGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
32,984
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35876
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
111 毫欧 @ 2.9A，10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
onsemi
4,994
现货
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.16808
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1024 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5,483
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75717
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.75194
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
67 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,231
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.71594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 6.5A，10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-363
NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
onsemi
65,648
现货
24,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41204
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.9A，4.5V
1.2V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
850 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。