单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-FRFET®, SuperFET® IIIPowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）3A（Ta）20A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 7.1A，10V105 毫欧 @ 3A，10V190 毫欧 @ 10A，10V260 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V24 nC @ 10 V34 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V759 pF @ 30 V1610 pF @ 400 V2086 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）3W（Ta），18W（Tc）45W（Tc）162W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8SuperSOT™-6TO-220-3
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
30,923
现货
276,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-WDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,835
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.70513
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
260 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W（Ta），18W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPak SO-8L
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,695
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28688
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 7.1A，10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2086 pF @ 30 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-3
NTP190N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
onsemi
774
现货
66,400
工厂
1 : ¥24.22000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
20A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 10A，10V
5V @ 430µA
34 nC @ 10 V
±30V
1610 pF @ 400 V
-
162W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。