单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Littelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PolarTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A(Tc)120A(Tc)170A(Tc)287A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 50A,10V9 毫欧 @ 500mA,10V10.1 毫欧 @ 30A,10V25 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
52 nC @ 4.5 V100 nC @ 10 V190 nC @ 10 V198 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3400 pF @ 25 V6000 pF @ 25 V7000 pF @ 50 V8900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
68W(Tc)200W(Tc)375W(Tc)715W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)PowerPAK® SO-8TO-263(D2PAK)TO-3P
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线PowerPAK® SO-8TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
3,000
现货
1 : ¥44.91000
剪切带(CT)
1,500 : ¥23.20145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,553
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.21217
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-3P
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Littelfuse Inc.
270
现货
1 : ¥98.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
60
现货
1 : ¥33.41000
剪切带(CT)
800 : ¥20.18586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
4.5V,10V
10.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。