单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diotec SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装
漏源电压（Vdss）
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1A（Ta）1.2A（Ta）2A（Ta）2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
128 毫欧 @ 2.8A，10V236 毫欧 @ 2A，10V480 毫欧 @ 1.2A，10V1.2 欧姆 @ 1A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 25µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.67 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 10 V4 nC @ 10 V7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V64 pF @ 25 V164 pF @ 75 V215 pF @ 75 V395 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）960mW（Ta）1.25W（Ta）2.2W（Ta）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-223-4SOT-23-3（TO-236）TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
30,345
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D26Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
21,872
现货
56,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.85776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
6,833
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.85776
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
38,884
现货
60,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
SOT-223-4
FDT86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
onsemi
9,120
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.86584
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.8A（Tc）
6V，10V
128 毫欧 @ 2.8A，10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
395 pF @ 75 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
FDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
onsemi
9,305
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.08483
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta）
6V，10V
236 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 75 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
MMBTRC106SS-AQ
MMFTN4520
MOSFET, SOT-23, 150V, 0.425A, 15
Diotec Semiconductor
2,875
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1A（Ta）
4.5V，10V
1.2 欧姆 @ 1A，10V
3V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
164 pF @ 75 V
-
960mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。