单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
STMicroelectronicsTexas Instruments
系列
NexFET™STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），60A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V5.4 毫欧 @ 18A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1440 pF @ 15 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）10-PowerSO
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerSO-10 裸露底部焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD1632x Series 8-SON
CSD17309Q3
MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Texas Instruments
6,383
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），60A（Tc）
3V，8V
5.4 毫欧 @ 18A，8V
1.7V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1440 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。