单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
50 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 20A，18V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA4.3V @ 6.5mA
Vgs（最大值）
±20V+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1473 pF @ 325 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）176W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-247-4L
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
93,692
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-4
NTH4L060N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
onsemi
581
现货
11,250
工厂
1 : ¥64.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
47A（Tc）
15V，18V
70 毫欧 @ 20A，18V
4.3V @ 6.5mA
74 nC @ 18 V
+22V，-8V
1473 pF @ 325 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。