单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MDmesh™ VQFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）260mA（Ta）3.4A（Ta）3.6A（Ta）8.8A（Ta），19A（Tc）12A（Tc）35A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V16 毫欧 @ 8.5A，10V63 毫欧 @ 21A，10V63 毫欧 @ 3.4A，4.5V64 毫欧 @ 3.6A，10V300 毫欧 @ 7.2A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V11.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA2.35V @ 25µA2.4V @ 10µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V2.9 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V38 nC @ 10 V59 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V170 pF @ 25 V270 pF @ 24 V388 pF @ 25 V600 pF @ 25 V860 pF @ 25 V1800 pF @ 15 V4200 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.3W（Ta）2.1W（Ta）2.1W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）3.7W（Ta），88W（Tc）40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）Micro3™/SOT-23PowerPAK® 1212-8SOT-223-4SOT-23-3（TO-236）TO-220FPTO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
90,950
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
72,922
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
2.5V，4.5V
63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,246
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37350
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
195,444
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.61688
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT223-3L
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
onsemi
22,115
现货
52,000
工厂
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.27457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
200mA（Tc）
10V
11.5 欧姆 @ 100mA，10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
89,915
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 3.6A，10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263AB
IRF9530STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Vishay Siliconix
1,813
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
800 : ¥11.62939
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-F
STF57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
STMicroelectronics
910
现货
1 : ¥52.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。