单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.82A(Ta),20A(Tc)10A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 50A,10V26.5 毫欧 @ 10A,10V35 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V33 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
327 pF @ 25 V1815 pF @ 25 V3770 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),20W(Tc)13.6W(Tc)100W(Tc)
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)PG-TDSON-8-34PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
6,584
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1815 pF @ 25 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PG-TDSON-8-34
IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
8,080
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.66025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
7V,10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
3.4V @ 50µA
65 nC @ 10 V
±20V
3770 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS5C680NLTAG
MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
onsemi
250
现货
24,000
工厂
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.20095
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.82A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
26.5 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
327 pF @ 25 V
-
3W(Ta),20W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。