单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）250mA（Ta）2.3A（Ta）30A（Tc）32A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，2.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 15A，10V19 毫欧 @ 8A，10V33 毫欧 @ 10A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V2.4 欧姆 @ 250mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA1V @ 1mA2.3V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V32 nC @ 10 V126 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V25 pF @ 10 V50 pF @ 25 V529 pF @ 10 V1400 pF @ 25 V4427 pF @ 15 V4500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）370mW（Ta）500mW（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）48W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）PG-SOT23PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
355,936
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,405,345
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
23,637
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.66718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
18,366
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
528,300
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EMT3F
RE1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Rohm Semiconductor
45,803
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53142
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
PowerPak SO-8L
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。