单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）4A（Ta）5.6A（Tc）45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 4.3A，10V50 毫欧 @ 24.8A，10V52 毫欧 @ 4A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 1.24mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V11.7 nC @ 10 V102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 25 V340 pF @ 20 V465 pF @ 15 V4975 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）770mW（Ta）1.25W（Ta），2.1W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,422
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H-7
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Diodes Incorporated
4,694
现货
1,098,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
3V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
26 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN3065LW-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Diodes Incorporated
15,409
现货
2,700,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.5V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
465 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R050CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
830
现货
1 : ¥63.38000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.92849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±30V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。