单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
20 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)11A(Tc)49A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 50A,10V225 毫欧 @ 4.8A,10V230 毫欧 @ 5.2A,10V360 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 150µA4V @ 240µA4.5V @ 140µA4.5V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V230 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
679 pF @ 400 V996 pF @ 400 V1044 pF @ 400 V10890 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),156W(Tc)29W(Tc)43W(Tc)63W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)PG-TO220-FPPG-TO252-3-313PG-TO263-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PQFN
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
1,962
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
4,000 : ¥6.28028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
49A(Ta),100A(Tc)
2.5V,10V
0.95 毫欧 @ 50A,10V
1.1V @ 150µA
230 nC @ 4.5 V
±12V
10890 pF @ 10 V
-
3.6W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Infineon Technologies
1,436
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.72305
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.9A,10V
4.5V @ 140µA
14 nC @ 10 V
±20V
679 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
IPB65R230CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
840
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.51852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO-220-FP
IPA65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Infineon Technologies
419
现货
1 : ¥20.93000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。