单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
OptiMOS™STripFET™ F7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)100A(Tc)105A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 50A,10V4.5毫欧 @ 11.5A,10V8.2 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.3 nC @ 10 V60 nC @ 10 V117 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 25 V3000 pF @ 25 V8410 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
68W(Tc)94W(Tc)214W(Tc)
供应商器件封装
PG-TO263-3PowerFlat™(5x6)PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJA82EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,817
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.88450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
60A(Tc)
4.5V,10V
8.2 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,244
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.64273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4.2 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerFlat™
STL105N4LF7AG
MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT
STMicroelectronics
10,815
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.35476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
105A(Tc)
4.5V,10V
4.5毫欧 @ 11.5A,10V
2.5V @ 250µA
23.3 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。