单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）220mA（Ta）780mA（Ta）1.3A（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.1 毫欧 @ 30A，10V270 毫欧 @ 780mA，5V600 毫欧 @ 610mA，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 94µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.45 V6.6 nC @ 10 V12 nC @ 5 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V97 pF @ 15 V150 pF @ 25 V490 pF @ 25 V7000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）540mW（Ta）1.3W（Ta）1.8W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-HVMDIPMicro3™/SOT-23PG-SOT223-4SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
4-DIP（0.300"，7.62mm）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
194,995
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94213
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
780mA（Ta）
2.7V，4.5V
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138-G
FET 50V 3.5 OHM SOT23
onsemi
6,421
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88907
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
BSP125H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
27,139
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.85504
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
120mA（Ta）
4.5V，10V
45 欧姆 @ 120mA，10V
2.3V @ 94µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
760
现货
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.18586
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
4-DIP
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Vishay Siliconix
3,509
现货
1 : ¥13.79000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.3A（Ta）
4V，5V
270 毫欧 @ 780mA，5V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。