单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）10A（Ta），12A（Tc）12A（Ta）18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.6 毫欧 @ 4A，10V11.7 毫欧 @ 8.5A，4.5V17 毫欧 @ 11A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA1.5V @ 100µA2.3V @ 10µA2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V7.5 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33 pF @ 5 V660 pF @ 25 V1110 pF @ 10 V1110 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）1.98W（Ta），9.6W（Tc）2.5W（Ta）11.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）6-UDFNB（2x2）SC-70-3（SOT323）
封装/外壳
6-PowerVDFN6-WDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Infineon Technologies
121,291
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.30531
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta），12A（Tc）
2.5V，4.5V
11.7 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 10µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
1110 pF @ 10 V
-
1.98W（Ta），9.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
SC-70-3
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
47,822
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69151
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
35,903
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94797
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
16,901
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.36396
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11.6 毫欧 @ 4A，10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。