单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-FRFET®, SuperFET® II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Ta），34.6A（Tc）13A（Ta），50A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 25A，10V23 毫欧 @ 15A，10V27.4 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.4V @ 255µA5V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V16.3 nC @ 10 V259 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V1058 pF @ 20 V7690 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），46W（Tc）3.5W（Ta），44.1W（Tc）595W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-WDFN（3.3x3.3）TO-247-3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerWDFNTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.58259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-247-3
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
242
现货
1,350
工厂
1 : ¥180.62000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
27.4 毫欧 @ 35A，10V
5V @ 7.5mA
259 nC @ 10 V
±30V
7690 pF @ 400 V
-
595W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
onsemi
2,642
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.17878
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.4A（Ta），34.6A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 255µA
16.3 nC @ 10 V
±20V
1058 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta），44.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。