单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
C3M™CoolSiC™STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V650 V900 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）25A（Tc）36A（Tc）97A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 55.8A，15V34 毫欧 @ 33.5A，15V45 毫欧 @ 15A，10V78 毫欧 @ 20A，15V455 毫欧 @ 2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 5mA3.6V @ 15.5mA3.6V @ 9.22mA4V @ 250µA5.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 18 V30.4 nC @ 15 V55 nC @ 10 V112 nC @ 15 V188 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V+18V，-8V+19V，-8V±20V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 800 V660 pF @ 600 V1200 pF @ 25 V2980 pF @ 600 V5011 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
60W（Tc）85W（Tc）125W（Tc）326W（Tc）416W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPG-TO247-3-41TO-247-3TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C3M0065090D
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,457
现货
1 : ¥158.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
36A（Tc）
15V
78 毫欧 @ 20A，15V
3.5V @ 5mA
30.4 nC @ 15 V
+18V，-8V
660 pF @ 600 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
708
现货
1 : ¥293.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
120A（Tc）
15V
21 毫欧 @ 55.8A，15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V，-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,227
现货
1 : ¥44.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
4.7A（Tc）
15V，18V
455 毫欧 @ 2A，18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V，-7V
182 pF @ 800 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF10T4
MOSFET N CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
2,167
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.47871
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
C3M0065100K
C3M0025065K
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥254.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
97A（Tc）
15V
34 毫欧 @ 33.5A，15V
3.6V @ 9.22mA
112 nC @ 15 V
+19V，-8V
2980 pF @ 600 V
-
326W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。