单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET® Gen IVU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Ta），90.6A（Tc）54A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 15A，10V4.2 毫欧 @ 80A，10V5.1 毫欧 @ 90A，10V7毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 200µA3.6V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V44 nC @ 10 V81 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1870 pF @ 30 V1875 pF @ 30 V4840 pF @ 40 V6500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），75W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）107W（Tc）227W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）PG-TO252-3-11PowerPAK® 1212-8STO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8STO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
10,532
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
54A（Tc）
4.5V，10V
7毫欧 @ 27A，10V
2.5V @ 200µA
20 nC @ 10 V
±20V
1875 pF @ 30 V
-
630mW（Ta），75W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Vishay Siliconix
8,547
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Ta），90.6A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 15A，10V
3.6V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 30 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO252-3
IPD90N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
0
现货
1,860
市场
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.81520
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
5.1 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 60µA
81 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。