单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）2.3A（Ta）3.1A（Ta）3.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 3.8A，10V82 毫欧 @ 3A，10V88 毫欧 @ 3.1A，10V400 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
219 pF @ 30 V470 pF @ 20 V505 pF @ 20 V563 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）750mW（Ta）1.08W（Ta）1.25W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
8,171
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49528
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
900mA（Ta）
4.5V，10V
400 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
127,236
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
89,759
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74805
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.1A（Ta）
4.5V，10V
88 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。