单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
IXYSLittelfuse Inc.onsemi
系列
HiPerFET™, TrenchT2™PowerTrench®
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
158A（Tc）240A（Tc）360A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 60A，10V5.2 毫欧 @ 60A，10V5.9 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
92 nC @ 10 V460 nC @ 10 V715 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9445 pF @ 75 V32000 pF @ 25 V47500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
429W（Tc）1250W（Tc）1670W（Tc）
供应商器件封装
PLUS247™-3TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AD EP
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
onsemi
7,326
现货
1 : ¥59.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
158A（Tc）
10V
5.9 毫欧 @ 120A，10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
9445 pF @ 75 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
1,386
现货
1 : ¥251.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
360A（Tc）
10V
4 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
715 nC @ 10 V
±20V
47500 pF @ 25 V
-
1670W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-247 Plus X
IXFX240N15T2
MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247-3
IXYS
4
现货
900
工厂
300 : ¥107.41213
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
240A（Tc）
10V
5.2 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
460 nC @ 10 V
±20V
32000 pF @ 25 V
-
1250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。