单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA(Ta)13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 6.5A,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 10 V2400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
270mW(Ta)20W(Tc)
工作温度
150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
S-MiniTO-252
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,584
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.72721
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta)
4V,10V
200 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
17,234
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41375
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
270mW(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。