单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)3.8A(Ta)15A(Ta),56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 17A,8V47 毫欧 @ 3.2A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.6 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V318 pF @ 15 V955 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)950mW(Ta)2.7W(Ta)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)SOT-23-3TO-236
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
101,016
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 3.2A,10V
3V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
318 pF @ 15 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Vishay Siliconix
5,533
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSD1632x Series 8-SON
CSD17304Q3
MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Texas Instruments
5,723
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86572
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),56A(Tc)
3V,8V
7.5 毫欧 @ 17A,8V
1.8V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
955 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。