单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）5.6A（Tc）15A（Ta）21A（Ta），85A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 20A，10V7.7 毫欧 @ 15A，10V42 毫欧 @ 4.3A，10V60 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V24 nC @ 10 V196 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 20 V540 pF @ 30 V1380 pF @ 15 V9120 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.1W（Tc）2W（Ta）2.3W（Ta），83W（Tc）3.1W（Ta）
供应商器件封装
6-TSOP8-DFN（5x6）8-SOICSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-74，SOT-457TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,768
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97324
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON6403
MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
12,317
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.94754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
196 nC @ 10 V
±20V
9120 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
6-TSOP
AO6420
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
212,903
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14933
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
109,322
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.76504
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
7.7 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。