单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）4.8A（Ta），16.5A（Tc）8A（Ta），25A（Tc）12A（Ta），35A（Tc）17A（Ta），71A（Tc）19A（Ta）22A（Ta），135A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 50A，10V6.1 毫欧 @ 35A，10V9.2 毫欧 @ 25A，10V12 毫欧 @ 10A，10V22 毫欧 @ 3A，10V52 毫欧 @ 4A，10V56 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 190µA2V @ 250µA2V @ 35µA3.5V @ 250µA4V @ 20µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.7 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.9 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V11.7 nC @ 10 V20 nC @ 10 V33.7 nC @ 10 V64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
333 pF @ 30 V400 pF @ 50 V420 pF @ 25 V464 pF @ 15 V880 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V2164 pF @ 25 V3844 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.4W2.5W（Ta），31W（Tc）3.4W（Ta），28W（Tc）3.5W（Ta），28W（Tc）3.6W（Ta），46W（Tc）3.6W（Ta），61W（Tc）3.7W（Ta），79W（Tc）3.8W（Ta），140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-PQFN（5x6）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
18,594
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.25108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），61W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
SOT-23-3
DMG3402LQ-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
11,664
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94057
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C673NLT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
onsemi
2,678
现货
72,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.84979
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
8-PQFN
FDMS8622
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
onsemi
10,570
现货
39,000
工厂
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.40741
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.8A（Ta），16.5A（Tc）
6V，10V
56 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H818NLT1G
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
onsemi
1,160
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.99771
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
22A（Ta），135A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 190µA
64 nC @ 10 V
±20V
3844 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C646NLT1G
MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
onsemi
2,157
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
1,500 : ¥9.69326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
2164 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C468NT1G
MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
onsemi
1,510
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.64335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），35A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
7.9 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
3.5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS024N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.43658
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Ta），25A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 20µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
333 pF @ 30 V
-
3.4W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。