单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27.6A（Ta），40A（Tc）30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 15A，10V23.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
802 pF @ 50 V2455 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），46.3W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
31,243
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.58397
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
23.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
Vishay Siliconix
5,745
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.05599
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
27.6A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 15A，10V
2.1V @ 250µA
58 nC @ 10 V
+20V，-16V
2455 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），46.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。