单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）19A（Ta），187A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4毫欧 @ 80A，10V213 毫欧 @ 1A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4，5V @ 584µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
90.4 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4355 pF @ 25 V7490 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
3，4W（Ta），316W（Tc）83W（Tc）
供应商器件封装
8-HPSOFPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,245
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.03577
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
6V，10V
213 毫欧 @ 1A，4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-HPSOF Top View
NVBLS4D0N15MC
MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
onsemi
1,503
现货
1 : ¥87.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥46.56118
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19A（Ta），187A（Tc）
8V，10V
4.4毫欧 @ 80A，10V
4，5V @ 584µA
90.4 nC @ 10 V
±20V
7490 pF @ 75 V
-
3，4W（Ta），316W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。