单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40.2A（Ta），263A（Tc）80A（Tc）150A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.24 毫欧 @ 50A，10V1.4 毫欧 @ 23A，10V1.6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 300µA2.4V @ 500µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V74 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 15 V7200 pF @ 20 V14950 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）3.3W（Ta），138.9W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOP Advance（5x5）8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
43,446
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.75528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 40A，10V
2.1V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
5,793
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.09459
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40.2A（Ta），263A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 23A，10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），138.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5,414
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.57697
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
4.5V，10V
1.24 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 500µA
74 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。