单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V40 V100 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）4.5A（Ta）6A（Ta）8A（Tc）45A（Tc）93A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 30A，10V19 毫欧 @ 30A，10V21 毫欧 @ 5A，4.5V26 毫欧 @ 6A，4.5V30 毫欧 @ 4.5A，4.5V58 毫欧 @ 20A，10V174 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V40 nC @ 4.5 V135 nC @ 10 V140 nC @ 10 V280 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-8V±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1699 pF @ 6 V3300 pF @ 10 V4200 pF @ 6 V5000 pF @ 25 V14100 pF @ 25 V14500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）1.6W（Ta）1.9W（Ta）3.75W（Ta），375W（Tc）5W（Tc）107W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPowerPAK® SO-8SuperSOT™-6TO-252AATO-263（D2PAK）TSMT6（SC-95）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
6,846
现货
3,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97449
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-263 (D2Pak)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Vishay Siliconix
2,851
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
800 : ¥16.37415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
93A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
14100 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerPAK SO-8
SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,697
现货
1 : ¥32.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥15.72394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
2.2A（Ta）
6V，10V
174 毫欧 @ 3.8A，10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SQD40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Vishay Siliconix
4,888
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.37853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
14500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Vishay Siliconix
9,006
现货
1 : ¥35.47000
剪切带（CT）
800 : ¥21.39978
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
45A（Tc）
6V，10V
58 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±30V
5000 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TSMT6_TSMT6 Pkg
RAQ045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
7,360
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06727
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.5A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
1V @ 1mA
40 nC @ 4.5 V
-8V
4200 pF @ 6 V
-
600mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
SQ3493EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
3,373
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.07960
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
8A（Tc）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
3300 pF @ 10 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。