单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）6A（Tc）12A（Tc）13A（Ta），56A（Tc）18A（Tc）22A（Ta），96A（Tc）26A（Ta），60A（Tc）40A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V3，8毫欧 @ 18A，10V4.9 毫欧 @ 15A，10V5.1 毫欧 @ 15A，10V5.6 毫欧 @ 15A，10V7.3 毫欧 @ 20A，10V9.4 毫欧 @ 15A，10V24 毫欧 @ 7.8A，10V34 毫欧 @ 5.1A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 15µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V55 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V112 nC @ 10 V134 nC @ 10 V140 nC @ 10 V225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+16V，-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V435 pF @ 15 V835 pF @ 10 V1400 pF @ 30 V3490 pF @ 15 V4280 pF @ 15 V4660 pF @ 15 V5250 pF @ 15 V5600 pF @ 15 V6600 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2，36W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），44W（Tc）2.5W（Tc）3.2W（Ta），15.6W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）PG-TSDSON-8-25PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）USM
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
54,427
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 7.8A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
53,901
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
32,563
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8S
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
12,905
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.82401
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
4660 pF @ 15 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-WDFN
NTTFS008P03P8Z
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
onsemi
5,886
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.95126
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），96A（Tc）
4.5V，10V
3，8毫欧 @ 18A，10V
3V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±25V
5600 pF @ 15 V
-
2，36W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
51,015
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24805
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,385
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
2.5V，10V
34 毫欧 @ 5.1A，10V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±12V
835 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PowerTDFN
ISZ0703NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Infineon Technologies
18,142
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.46344
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），56A（Tc）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 15µA
23 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-25
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
7,421
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
112 nC @ 10 V
+16V，-20V
3490 pF @ 15 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
22,575
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
40A（Tc）
2.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
1.1V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±12V
6600 pF @ 10 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。