单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）5A（Ta）10.4A（Ta）10.8A（Ta）12A（Ta），14A（Tc）13A（Ta），30A（Tc）28A（Ta），63A（Tc）42A（Ta），433A（Tc）50.2A（Ta），177A（Tc）60A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.7V2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 50A，10V1.35 毫欧 @ 10A，10V1.9 毫欧 @ 25A，10V5.2 毫欧 @ 20A，10V8 毫欧 @ 20A，10V9.4 毫欧 @ 13A，10V9.7 毫欧 @ 12A，10V11 毫欧 @ 10A，10V12 毫欧 @ 20A，10V44 毫欧 @ 4.3A，10V1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.2 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25.1 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V35 nC @ 10 V53 nC @ 10 V122 nC @ 10 V585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V+12V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 15 V1287 pF @ 25 V1380 pF @ 15 V1415 pF @ 15 V1522 pF @ 30 V1850 pF @ 20 V2670 pF @ 50 V3415 pF @ 10 V8900 pF @ 15 V12826 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.18W（Ta）1.2W（Ta）2.3W（Ta）2.3W（Ta），30W（Tc）2.3W（Ta），31W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）3.2W（Ta），96W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）6.2W（Ta），31W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-MLP（3.3x3.3）8-SO8-VSONP（5x6）PG-TDSON-8 FLPowerDI5060-8PowerDI5060-8（K 类）PowerPAK® SO-8SOT-23-3TSOT-26
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
683,678
现货
261,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57384
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
10,856
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89905
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
32,952
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09312
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
9.4 毫欧 @ 13A，10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-DFN
AON6414A
MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
28,358
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.04671
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8 SO
DMT6012LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Diodes Incorporated
7,794
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.19619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.4A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1522 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSOT-26
DMN6040SVT-7
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
5,242
现货
15,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40741
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-DFN
AONS36306
MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,831
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47985
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
28A（Ta），63A（Tc）
-
5.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
PowerPAK SO-8
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Vishay Siliconix
8,887
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.78256
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50.2A（Ta），177A（Tc）
2.5V，10V
1.35 毫欧 @ 10A，10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V，-8V
3415 pF @ 10 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI5060-8
DMP2002UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
16,292
现货
40,000
工厂
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.99846
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
12826 pF @ 10 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8（K 类）
8-PowerTDFN
5,832
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.30487
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMN3016LPS-13
MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Diodes Incorporated
1,767
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.07748
卷带（TR）
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.8A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
1.18W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。