单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™TrenchFET®U-MOSVIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V150 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）1.4A（Tc）2A（Ta）3A（Ta）4A（Tc）5.8A（Ta）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.4mOhm @ 19A，10V26.5 毫欧 @ 5.8A，10V103 毫欧 @ 1A，4.5V290 毫欧 @ 2A，10V375 毫欧 @ 1.5A，10V480 毫欧 @ 1.1A，10V750 毫欧 @ 1.4A，10V1.4 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 700µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V15.9 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 500 V270 pF @ 10 V332 pF @ 10 V510 pF @ 50 V540 pF @ 25 V860 pF @ 15 V2200 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）720mW（Ta）1.14W（Ta）1.25W1.6W（Ta），78W（Tc）2W（Ta），3.2W（Tc）2.1W（Tc）32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
6-TSOP8-SOP Advance（5x5）PG-TO252-2SOT-23-3SOT-23-6LSOT-26UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFNSOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3440DV-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Vishay Siliconix
11,259
现货
1 : ¥12.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.98012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.2A（Ta）
6V，10V
375 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
12,308
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.54732
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
38A（Tc）
10V
15.4mOhm @ 19A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 75 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
229,182
现货
666,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
16,947
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54106
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.4A（Tc）
6V，10V
480 毫欧 @ 1.1A，10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
332 pF @ 10 V
-
2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
Pkg 5540
SI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,681
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77675
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.4A（Tc）
6V，10V
750 毫欧 @ 1.4A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 50 V
-
2W（Ta），3.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO252-3
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Infineon Technologies
17,257
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.39781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
4A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.4A，10V
3.5V @ 700µA
10 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
Pkg 5540
SI3440DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Vishay Siliconix
31,514
现货
1 : ¥12.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.98012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.2A（Ta）
6V，10V
375 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
7,346
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
103 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
270 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
0
现货
9,000 : ¥1.95214
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta）
8V，10V
290 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 25 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。