单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesonsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V100 V150 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A(Ta)3.4A(Ta)3.6A(Ta)4A(Ta)4.1A(Ta)5.1A(Ta)10A(Ta)18A(Tc)38.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 10A,10V43 毫欧 @ 3.1A,10V65 毫欧 @ 4A,10V67 毫欧 @ 4.1A,10V68.5 毫欧 @ 7A,10V85 毫欧 @ 10A,10V85 毫欧 @ 3.5A,10V90 毫欧 @ 2.2A,10V105 毫欧 @ 3.4A,10V112 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA(最小)2.4V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 300µA5V @ 100µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V21 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V29.5 nC @ 10 V33 nC @ 10 V38 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
208 pF @ 50 V540 pF @ 25 V760 pF @ 75 V990 pF @ 25 V1000 pF @ 15 V1100 pF @ 100 V1590 pF @ 75 V1647 pF @ 75 V1764 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)1.6W(Ta),57W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),5W(Tc)3.2W(Ta),19.8W(Tc)5W(Ta)7.1W(Tc)62.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP8-SOP Advance(5x5)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8W
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7815TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
8,596
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.16573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5.1A(Ta)
10V
43 毫欧 @ 3.1A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1647 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4848DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
3,569
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.7A(Ta)
6V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V
2V @ 250µA(最小)
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS86106
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
onsemi
11,199
现货
35,000
工厂
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.33015
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.4A(Ta)
6V,10V
105 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
208 pF @ 50 V
-
5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK-1212-8W_Top
SQSA70CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Vishay Siliconix
27,509
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.23256
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
18A(Tc)
10V
68.5 毫欧 @ 7A,10V
3.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 25 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.75208
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4.1A(Ta)
6V,10V
67 毫欧 @ 4.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Vishay Siliconix
15,652
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.33271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
18A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 75 V
-
7.1W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7451TRPBF
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
8,508
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.43683
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
3.6A(Ta)
10V
90 毫欧 @ 2.2A,10V
5.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±30V
990 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
11,572
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.02394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
10A(Ta)
10V
112 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 300µA
11 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W(Ta),57W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SISA18ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10,951
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
38.3A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V,-16V
1000 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta),19.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOP
PJL9480_R2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
2,170
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.02942
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4A(Ta)
6V,10V
65 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±25V
1764 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4848DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
8,023
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.7A(Ta)
6V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V
2V @ 250µA(最小)
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。