单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

ZVP2106GTA MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 Diodes Incorporated	32,146 现货 61,000 工厂	1 : ¥8.37000 剪切带（CT） 1,000 : ¥3.67487 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	450mA（Ta）	10V	5 欧姆 @ 500mA，10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	100 pF @ 18 V	-	2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-223-3	TO-261-4，TO-261AA
IRF9530 MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Harris Corporation	3,295 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	12A（Tc）	-	300 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 25 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
ZVP2106A MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	1 : ¥6.98000 散装	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	280mA（Ta）	10V	5 欧姆 @ 500mA，10V	3.5V @ 1mA	-	±20V	100 pF @ 18 V	-	700mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-92	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）