单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）360mA（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 50µA2.4V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 7 V75 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V68 pF @ 25 V5814 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）360mW（Ta）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C
供应商器件封装
DPAKPG-SOT23TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
438,985
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
70,520
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
0V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU60P06-TP
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Micro Commercial Co
468
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.83470
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
5814 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。