单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），105A（Tc）102A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 50A，10V28毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34.3 nC @ 10 V220 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2300 pF @ 25 V2943 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），66W（Tc）510W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKTO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
1,403
现货
1 : ¥420.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
102A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V，-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
DPAK
NVD5C446NT4G
MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
onsemi
4,905
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.21824
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Ta），105A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
34.3 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。