单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™STripFET™ F7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A(Tc)20A(Ta),123A(Tc)21A(Ta),78A(Tc)31A(Ta),150A(Tc)31.4A(Ta),143A(Tc)37A(Tc)41A(Ta),235A(Tc)50A(Tc)60A(Tc)70A(Tc)86A(Tc)105A(Tc)110A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 50A,10V1.3 毫欧 @ 50A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 50A,10V2.1 毫欧 @ 30A,10V2.8 毫欧 @ 40A,10V3.7 毫欧 @ 20A,10V4.02 毫欧 @ 30A,10V4.2 毫欧 @ 35A,10V4.5 毫欧 @ 35A,10V4.5毫欧 @ 11.5A,10V5.5 毫欧 @ 25A,10V9.2 毫欧 @ 25A,10V10.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA2V @ 17µA2V @ 250µA2V @ 35µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 110µA4V @ 190µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.3 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V13.9 nC @ 10 V20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V23.3 nC @ 10 V30 nC @ 10 V35 nC @ 10 V45.2 nC @ 10 V46 nC @ 10 V50 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 25 V570 pF @ 25 V880 pF @ 25 V978 pF @ 20 V1179 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1600 pF @ 25 V2100 pF @ 20 V3071 pF @ 15 V3100 pF @ 20 V3100 pF @ 40 V4300 pF @ 25 V8900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),25W(Tc)3.5W(Ta),72W(Tc)3.6W(Ta),50W(Tc)3.7W(Ta),83W(Tc)3.71W(Ta),77W(Tc)3.8W(Ta),128W(Tc)3.8W(Ta),136W(Tc)28W(Tc)42W(Tc)46W(Tc)50W(Tc)68W(Tc)94W(Tc)158W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)DPAKPG-TDSON-8PG-TDSON-8-34PG-TO263-3PowerDI5060-8(UX 类)PowerFlat™(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
16,792
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.70370
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
4.02 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
1,221
现货
108,000
工厂
1 : ¥48.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥24.96454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerDI5060 UX
DMTH45M5LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
1,080
现货
10,000
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80894
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
13.9 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
3,210
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.14596
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
D-PAK (TO-252AA)
IRFR014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Vishay Siliconix
2,301
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.26085
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.7A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 4.6A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-34
IPC70N04S5L4R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Infineon Technologies
14,790
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.42896
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
70A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 17µA
30 nC @ 10 V
±16V
1600 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
811
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.89486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerFlat™
STL105N4LF7AG
MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT
STMicroelectronics
10,815
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.35476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
105A(Tc)
4.5V,10V
4.5毫欧 @ 11.5A,10V
2.5V @ 250µA
23.3 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,734
现货
1 : ¥24.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.88217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 110µA
134 nC @ 10 V
±20V
10740 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H818NT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
onsemi
1,380
现货
1 : ¥22.66000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.49771
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
20A(Ta),123A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 190µA
46 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C468NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 37A 5DFN
onsemi
1,225
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.43451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
37A(Tc)
4.5V,10V
10.3 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C423NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
onsemi
2,950
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.57349
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
31A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS4C03NWFT1G
MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
onsemi
1,452
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.85673
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
31.4A(Ta),143A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
45.2 nC @ 10 V
±20V
3071 pF @ 15 V
-
3.71W(Ta),77W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C450NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.92497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 20 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C426NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
1,400
现货
1 : ¥23.32000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.97241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
41A(Ta),235A(Tc)
10V
1.3 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥5.26685
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。