单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）13A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 25A，10V1.55 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V2050 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），46W（Tc）178W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）TO-220-3
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
1,475
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.58259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-220-3
FQP8N80C
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
onsemi
680
现货
1 : ¥25.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
8A（Tc）
10V
1.55 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
2050 pF @ 25 V
-
178W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。