单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）4A（Ta），12A（Tc）11A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 6A，10V60 毫欧 @ 12A，10V175 毫欧 @ 6.6A，10V6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 13µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.9 pF @ 25 V350 pF @ 25 V540 pF @ 30 V1450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.1W（Ta），20W（Tc）38W（Tc）40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-SOT23TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD444
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
123,772
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.67276
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
21,510
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.17642
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
11A（Tc）
10V
175 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
226,131
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.45904
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
STMicroelectronics
49,574
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.96225
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。