单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）1.4A（Ta）4.4A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25.8 毫欧 @ 4A，4.5V110 毫欧 @ 10A，10V220 毫欧 @ 910mA，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V24.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V50 pF @ 25 V150 pF @ 25 V1050 pF @ 80 V1800 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）370mW（Ta）500mW（Ta）625mW（Ta）70W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61N03FTA
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
133,017
现货
768,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
481,279
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU18P10Y-TP
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Micro Commercial Co
3,761
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
-
110 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,663
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.36400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.4A（Ta）
1.5V，4.5V
25.8 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。