单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）1.2A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
133 毫欧 @ 5A，10V250 毫欧 @ 1.8A，10V800 毫欧 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.18 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
70 pF @ 5 V166 pF @ 40 V700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）625mW（Ta）20W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN6A07FQTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Diodes Incorporated
2,466
现货
3,552,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37068
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RB098BM-40FNSTL
RD3P100SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rohm Semiconductor
2,634
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.31966
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Ta）
4V，10V
133 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23-3
NVTR0202PLT1G
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
onsemi
17,647
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
800 毫欧 @ 200mA，10V
2.3V @ 250µA
2.18 nC @ 10 V
±20V
70 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。